電磁干擾(Electromagnetic Interference簡稱EMI), EMI對于開關電源來說，一直是電源工程師的痛點和難點，下面諾列在整改中，關于不同頻段干擾抑制的常見處理辦法：

1MHZ 以內----以差模干擾為主

1.增大X 電容量；

2.添加差模電感；

3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解

電容可選用較大些)。

1MHZ---5MHZ---差模共模混合

采用輸入端并聯一系列X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種

干擾超標并以解決，

1.對于差模干擾超標可調整X 電容量,添加差模電感器，調差模

電感量;

2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑

制；

3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107 一

對普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

對于外殼接地的，在地線上用一個磁環串繞2-3 圈會對10MHZ 以

上干擾有較大的衰減作用;

可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環.

處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯電容的大小。

對于20--30MHZ，

1.對于一類產品可以采用調整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位

置；

2.調整一二次側間的Y1 電容位置及參數值；

3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調整變壓器的

各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT；

5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；

6.在輸出整流管兩端并聯RC 濾波器且調整合理的參數；

7.在變壓器與MOSFET 之間加BEADCORE；

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

9. 可以用增大MOS 驅動電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關斷引起

1.可以用增大MOS 驅動電阻；

2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；

3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決；

4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；

5.在MOSFET 的D-S 腳并聯一個小吸收電路；

6.在變壓器與MOSFET 之間加BEADCORE；

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；

8.PCB 心LAYOUT 時大電解電容，變壓器，MOS 構成的電路環盡可

能的小；

9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環盡可能

的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起

1.可以在整流管上串磁珠；

2.調整輸出整流管的吸收電路參數；

3.可改變一二次側跨接Y 電容支路的阻抗,如PIN 腳處加BEAD

CORE 或串接適當的電阻；

4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如

鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ 以上開關電源已基本輻射量很小，一般可過EMI 標準

補充說明:

開關電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.

開關電源是高頻產品,PCB 的元器件布局對EMI.,請密切注意此

點.

開關電源若有機械外殼,外殼的結構對輻射有很大的影響.請密

切注意此點.

主開關管,主二極管不同的生產廠家參數有一定的差異,對EMI

有一定的影響.請密切注意此點.